功率半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試機可自由搭配板卡

普賽斯ATE-3146靜態(tài)測試機是一款專注于Si/SiCMOSFET、IGBT、GaN HEMT等功率芯片及器件的靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)；采用PXIe通信架構(gòu)方案，支持板卡靈活擴展與高精度電學(xué)特性分析；支持單卡1200V大電壓、單卡400A大電流輸出，且蕞大可擴展至3500V、2000A；可與探針臺(Prober)、分選機(Handler)等外設(shè)聯(lián)機使用，應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)線KGD、DBC及FT工站的芯片及器件的高效分選測試。




產(chǎn)品特點：

單工站MOS DC IV參數(shù)測試UPH高達9K(注：單工站，7個DC IV測試項)

單臺主機支持3工站IV+CV或4工站IV并行測

專用于Si/SiC MOSFET、二極管、三極管、IGBT等KGD、DBC及FT測試

采用PXIe板卡架構(gòu)，可根據(jù)需求靈活搭配板卡實現(xiàn)精準(zhǔn)把控測試成本

單卡高達2G局部通信總線帶寬支持PXIe，TrigBus同步觸發(fā)支持高達8線局部總線同步

6U標(biāo)準(zhǔn)板卡兼容3U板卡

提供單卡1200V大電壓、 單卡400A大電流輸出能力

支持?jǐn)U展高壓、高流模組，蕞高可達3500V/2000A

內(nèi)置精密測量電路,實現(xiàn)pA級和uΩ級的精準(zhǔn)測量

CV測試中速模式下基本精度高達0.05%



測試項目

二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、正向電流IF、電容值Cd

三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、ICEO、IEBO、VCESAT、VBESAT、增益hFE、Cobo、Cibo

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaNFET：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES、柵極內(nèi)阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導(dǎo)gfs

目前，武漢普賽斯儀表有限公司的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了10pA-2000A、300mV-3500V的電壓電流范圍，并在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出絕對優(yōu)勢。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導(dǎo)體的電源及測試需求方面，我司在3500V、2000A以上量程及測試性能均處于絕對優(yōu)勢地位，更多有關(guān)功率半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試機可自由搭配板卡詳情找普賽斯儀表專員為您解答一八一四零六六三四七六