顯微分析及失效分析-sem電鏡掃描

【DB-FIB TEM超薄樣品切片服務】

雙束聚焦離子束（DB-FIB）顯微鏡是制備透射電子顯微鏡（TEM）超薄樣品的核心工具?！緩V電計量SEM/TEM測試服務】針對硅基芯片提供截面（XS）與平面（PV）制樣服務，覆蓋14nm及以下先進制程至55nm等傳統(tǒng)節(jié)點。通過高精度離子束濺射，我們實現(xiàn)納米級薄片切割，厚度可控制在100nm以內，確保電子束穿透并獲取高分辨圖像。該服務廣泛應用于芯片工藝驗證、缺陷定位與材料分析，尤其適用于FinFET、金屬互聯(lián)等關鍵結構的表征。廣電計量擁有標準化流程與CNAS認證平臺，保障制樣效率與數據可靠性，助力客戶突破制程瓶頸。

【3D TEM法在芯片失效分析中的創(chuàng)新】
3D TEM法通過連續(xù)切片與圖像重構，實現(xiàn)芯片缺陷的三維可視化。將DB-FIB與TEM結合，應用于熱點、孔洞、裂紋等立體缺陷分析。案例中，我們通過該方法成功定位某一先進制程芯片的層間短路點，為客戶提供立體失效機制報告?！緩V電計量SEM/TEM測試服務】不僅提升分析深度，還縮短診斷周期，成為復雜故障排查的利器。

【產學研合作與行業(yè)標準貢獻】
積極與南京大學、上海交大等高校合作，聯(lián)合編寫《聚焦離子束：應用與實踐》等專業(yè)著作，推動FIB技術標準化與普及。參與行業(yè)標準制定，推動設備與材料國產化，構建自主可控的檢測生態(tài)?！緩V電計量電鏡掃描測試】該合作不僅提升技術深度，還強化了在行業(yè)中的影響力與公信力。