3BHE023784可控硅模塊,安全可靠
價格面議2023-02-22 20:18:29
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集成柵極換流晶閘管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年問世的用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導體器件。IGCT是一種基于GTO結構、利用集成柵極結構進行柵極硬驅動、采用緩沖層結構及陽極透明發(fā)射極技術的新型大功率半導體開關器件，具有晶閘管的通態(tài)特性及晶體管的開關特性。由于采用了緩沖結構以及淺層發(fā)射極技術，因而使動態(tài)損耗降低了約50％，另外，此類器件還在一個芯片上集成了具有良好動態(tài)特性的續(xù)流二極管，從而以其獨特的方式實現了晶閘管的低通態(tài)壓降、高阻斷電壓和晶體管穩(wěn)定的開關特性有機結合.
IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開關速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了巨大進展，給電力電子成套裝置帶來了新的飛躍。IGCT是將GTO芯片與反并聯二極管和柵極驅動電路集成在一起，再與其柵極驅動器在外圍以低電感方式連接，結合了晶體管的穩(wěn)定關斷能力和晶閘管低通態(tài)損耗的優(yōu)點，在導通階段發(fā)揮晶閘管的性能，關斷階段呈現晶體管的特性。IGCT具有電流大、電壓高、開關頻率高、可靠性高、結構緊湊、損耗低等特點，而且造成本低，成品率高，有很好的應用前景。采用晶閘管技術的GTO是常用的大功率開關器件，它相對于采用晶體管技術的IGBT在截止電壓上有更高的性能，但廣泛應用的標準GTO驅動技術造成不均勻的開通和關斷過程，需要高成本的dv/dt和di/dt吸收電路和較大功率的柵極驅動單元，因而造成可靠性下降，價格較高，也不利于串聯。但是，在大功率MCT技術尚未成熟以前，IGCT已經成為高壓大功率低頻交流器的優(yōu)選方案。
1、IGCT具有電流大、阻斷電壓高、開關頻率高、可靠性高、結構緊湊、低導通損耗等特點，而且造成本低，成品率高，有很好的應用前景。
2、相對于IGBT而言，IGCT投放市場的時間較晚，應用也沒有IGBT廣，技術成熟度不如IGBT。 目前的 IGBT和IGCT開、關損耗都差不多，構成的變頻器，效率也差別不大。 要論優(yōu)勢，主要是IGCT的耐壓目前比IGBT的耐壓高，應用于高壓變頻器的話使得器件減少。但是目前的風電變流器都是690V的，IGBT的耐壓也就足夠了。 IGBT和IGCT，誰是電力電子器件的發(fā)展方向？目前學術界正在爭論，雖然IGCT出現晚，但至少在目前，還看不出它相對IGBT有什么優(yōu)勢。但也有可能隨著技術的發(fā)展，兩者并駕齊驅，或者都被某種新的器件代替。
與IGCT所對應的是IEGT， IEGT也稱為壓裝式IGBT （PPI)。
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